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          DKDP普克爾斯盒點擊購買

          通光孔徑

          10~12

          有效通光口徑

          ≥90%

          消光比

          >1000~1500:1

          電極類型

          引線型

          λ/4電壓(V)

          3400V

          電容(pF)

          < 8

          插入損耗

          <3%

          激光損傷閾值

          >700~800/cm2 @1064nm 10ns 40Hz 光束無強點

          產品詳情

          DKDP電光Q開關(Q-switch,Pockels Cells)因其獨特的物理特性和優異的光學品質而廣泛應用于大口徑、高功率、窄脈寬 (<10ns)激光系統。 DKDP晶體是單軸晶體,具有優異的光學質量,其消光比>2000:1(使用632nm He-Ne激光測量),波前畸變98%。DKDP電光Q 開關電容?。s為3-5pF),因而上升時間短(<0.5ns),在調Q時可輸出窄脈寬的脈沖激光。與市場上使用較廣泛的電光晶體相比,DKDP晶體具有較高的損傷閾值; 在脈寬10ns、波長為1064nm、重復頻率 10Hz的光學條件下,損傷閾值>1GW/cm2。

          基本特性:

          l  波前畸變: 低電容   l  上升時間短: ~3pF   l  高透過率: >98%   l  高損傷閾值: >1GW/cm2   l  無靜態雙折射,無光折變損傷

          l  鍍增透膜的保護性石英窗口   l  耐環境溫度沖擊和優異的電光性能


          資料下載:

          引線型DKDP開關參數.pdf

          氮氣封裝DKDP開關參數.pdf

          插針型DKDP開關參數.pdf

          大口徑DKDP開關參數.pdf

          集成DKDP開關參數.pdf

          定制DKDP開關參數.pdf









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